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三星NAND闪欧义存新突破！功耗狂降达 96%

欧亿2025-12-20 15:25:16【综合】4人已围观

简介快科技11月27日消息，据媒体报道，当地时间27日，三星电子旗下SAIT原三星先进技术研究院）宣布，已在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。据这篇名为《用于低功耗NAND闪存欧义

快科技11月27日消息，存新据媒体报道，突破当地时间27日，功耗欧义三星电子旗下SAIT（原三星先进技术研究院）宣布，狂降已在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的存新研究成果。

据这篇名为《用于低功耗NAND闪存的突破铁电晶体管》的论文介绍，该研究通过创新融合铁电材料与氧化物半导体，功耗全球首次明确了可将NAND闪存功耗较现有技术降低 96% 的狂降核心机制。

值得一提的存新是，这项新研究有望提升包括人工智能数据中心和移动设备在内的突破欧义各个领域的能效。

据了解，功耗NAND闪存是狂降一种非易失性存储介质，即使断电亦可长期保存大量数据，存新其工作原理是突破通过向存储单元注入电子实现数据写入。

为提升存储密度，功耗业界普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片，但这同时也显著增加了数据读写过程中的能耗，尤其在大规模数据中心场景中，功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。

而三星研究团队上述成果攻克了这一难题。

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责任编辑：秋白

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